IGBT，又稱絕緣柵雙極晶體管，是由BJT(雙極晶體管)和MOSFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合全控壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。由于這個(gè)原因，IGBT被廣泛使用。主要用于實(shí)現(xiàn)電壓、頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等功能，俗稱電力電子裝置的“CPU”，廣泛應(yīng)用于光伏/風(fēng)電設(shè)備、新能源汽車、家電、儲(chǔ)能、軌道交通、電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域。

成果歸屬：合作研發(fā)的管理機(jī)制，成果歸屬是否存在糾紛或潛在糾紛；

合作原因及權(quán)利義務(wù)：合作研發(fā)的背景及原因，合作協(xié)議的主要內(nèi)容，合作雙方權(quán)利義務(wù)劃分，發(fā)行人采取的保密措施，合作研發(fā)的費(fèi)用與支付情況；

是否涉及技術(shù)依賴：委托研發(fā)的分工及各自發(fā)揮的作用，授權(quán)發(fā)行人使用研發(fā)成果的期限、是否為獨(dú)占許可，在發(fā)行人核心技術(shù)、產(chǎn)品中的運(yùn)用情況，發(fā)行人是否存在技術(shù)依賴，相關(guān)技術(shù)的委托研發(fā)是否屬于行業(yè)慣例；核心技術(shù)是否存在重大依賴；

是否涉及虛增研發(fā)費(fèi)用情形：合作研發(fā)的合理性及必要性，合作方是否為關(guān)聯(lián)方。

核心技術(shù)保護(hù)措施：發(fā)行人的核心技術(shù)是否取得專利或其他技術(shù)保護(hù)措施、核心技術(shù)的科研實(shí)力和成果情況；未取得新的發(fā)明專利的原因，是否存在相關(guān)技術(shù)水平處于瓶頸或重大技術(shù)難題無(wú)法突破的情況；

是否擁有健全的研發(fā)體系：主要核心技術(shù)的取得時(shí)間，報(bào)告期內(nèi)研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入的比例變化情況，發(fā)行人是否擁有高效的研發(fā)體系，是否具備持續(xù)創(chuàng)新能力，保持技術(shù)不斷創(chuàng)新的機(jī)制是否有效；

在研項(xiàng)目詳細(xì)情況：在研項(xiàng)目的項(xiàng)目名稱、項(xiàng)目介紹、研發(fā)目標(biāo)及主要方向、所處階段、開發(fā)周期、應(yīng)用前景、技術(shù)儲(chǔ)備及技術(shù)創(chuàng)新等，與行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)的對(duì)比。

1、是否存在糾紛及潛在糾紛：知識(shí)產(chǎn)權(quán)是否存在權(quán)屬糾紛；知識(shí)產(chǎn)權(quán)是否存在權(quán)利限制；知識(shí)產(chǎn)權(quán)是否存在到期注銷、終止、宣布無(wú)效等異常情況；

2、重點(diǎn)關(guān)注受讓取得專利：知識(shí)產(chǎn)權(quán)是否存在受讓取得的情況，受讓取得的發(fā)明專利來(lái)源、原權(quán)利人基本情況、受讓取得的原因、定價(jià)依據(jù)及公允性；知識(shí)產(chǎn)權(quán)是否存在侵權(quán)使用的情況；

3、海外專利情況：海外專利的取得是否存在障礙，境內(nèi)取得的發(fā)明專利是否可以在海外進(jìn)行相同發(fā)明專利的申請(qǐng)和注冊(cè)，海外注冊(cè)是否會(huì)侵犯國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)等情況；

4、若存在異常需量化影響：知識(shí)產(chǎn)權(quán)異常狀態(tài)對(duì)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)的影響。