IGBT，又稱絕緣柵雙極晶體管，是由BJT(雙極晶體管)和MOSFET(絕緣柵場效應晶體管)組成的復合全控壓驅動功率半導體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優(yōu)點。由于這個原因，IGBT被廣泛使用。主要用于實現(xiàn)電壓、頻率、直流交流轉換等功能，俗稱電力電子裝置的“CPU”，廣泛應用于光伏/風電設備、新能源汽車、家電、儲能、軌道交通、電網(wǎng)、航空航天等領域。

1、是否具有領先地位：發(fā)行人是否具備較高的行業(yè)地位與市場認可度；

2、認定先進的依據(jù)是否充分、客觀：核心技術認定為“國內領先”“國際先進”的具體依據(jù)，論述行業(yè)地位與市場認可度的依據(jù)是否充分；

3、行業(yè)數(shù)據(jù)是來源權威第三方：論述行業(yè)地位與市場認可度時所引用的數(shù)據(jù)是否足夠權威；

4、獲得獎項的相關性：獲得的獎項或榮譽，相關認證、榮譽證書的設立單位的權威性、與發(fā)行人業(yè)務技術的相關性；

5、與同行業(yè)可比性：發(fā)行人的競爭對手披露是否全面且具備可比性。

1、研發(fā)人員構成：報告期內在研和已完成的研發(fā)項目的整體預算、人員配置和研發(fā)成果轉化為產(chǎn)品的銷售收入情況；

2、是否建立研發(fā)管理制度：是否建立健全的研發(fā)管理制度；是否建立研發(fā)支出審批程序；研發(fā)支出涉及的內部控制是否健全有效；

3、研發(fā)費用歸集合理性及準確性：對報告期內發(fā)行人的研發(fā)投入歸集是否準確、相關數(shù)據(jù)來源及計算是否合規(guī)；報告期內是否嚴格按照研發(fā)開支用途、性質據(jù)實列支研發(fā)支出，是否存在將與研發(fā)無關的費用在研發(fā)支出中核算的情形；

4、研發(fā)領用核算的準確性：發(fā)行人研發(fā)用材料的相關管理制度及執(zhí)行情況，報告期各期研發(fā)用材料的庫齡分布、領用量、使用量和截至各期末的結存量、與各對應研發(fā)項目之間的關系，是否存在期末集中領料或領用長庫齡存貨多確認研發(fā)費用的情形，詳細說明形成產(chǎn)品的銷售或廢料的處理情況；

5、與同行業(yè)公司是否一致：研發(fā)費用率與同行業(yè)可比公司是否存在差異;研發(fā)費用歸集與同行業(yè)可比公司是否存在差異；研發(fā)人員人均薪酬與同行業(yè)可比公司是否存在差異。

1、核心技術人員認定：核心技術人員的認定標準及合理性；新增或未認定為核心技術人員的原因；

2、核心人員背景及穩(wěn)定性：核心技術人員、研發(fā)人員占員工總數(shù)的比例，核心技術人員的學歷背景構成，取得的專業(yè)資質及重要科研成果和獲得獎項情況，對公司研發(fā)的具體貢獻，發(fā)行人對核心技術人員實施的約束激勵措施；報告期內核心技術人員的變動情況。